三极管BJT与场效应管FET的区别

场效应管介绍

场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写（FET））简称场效应管。蕉浔恨缝由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。

三极管BJT与场效应管FET的区别很多，简单列几条：

1.三极管用电流控制，MOS管属于电压控制，BJT放大电流，FET将栅极电压转换为漏极电流。BJT第一参数是电流放大倍数β值，FET第一参数是垮导gm；

2.驱动能力：MOS管常用电源开关管，以及大电流地方开关电路；

3.成本问题：三极管便宜，MOS贵；

4.BJT线性较差，FET线性较好；

5.BJT噪声较大，FET噪声较小；

6.BJT极性只有NPN和PNP两类，FET极性有N沟道、P沟道，还有耗尽型和增强型，所以FET选型和使用都比较复杂；

7.功耗问题：BJT输入电阻小，消耗电流大，FET输入电阻很大，几乎不消耗电流；

实际上就是三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制；MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。

总的看，无论在分立元件电路还是集成电路中，FET替代BJT都是一个大趋势。